欧州系半導体の型番命名システム
PRO ELECTRON NOMENCLATUR FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
Ver.1.0:Nov.9th 2004 by Takahiro Kato JA9TTT
欧州系の半導体も日本製半導体のように決められたルールで型番が付けられています。
例：AA118、BC548、BF901・・・
この例のように、アルファベット２文字と数字からなっています。
以下の表を参照すればどんな半導体かわかります。

　　　AA118とはゲルマニウムダイオード（検波用、スイッチング用などの小信号用）
　　　BC548とはシリコンの小信号汎用トランジスタ
　　　BF901とはシリコンの高周波小信号用トランジスタ・・・となります。

表を見るとわかりますが、この命名システムはデバイスの用途に着目した命名方法のようですが、
PNPとNPNの区別がつかない、バイポーラトランジスタとFET（電界効果トランジスタ）の区別がないなど、
欠点もあるように感じます。　その反面JIS式では用途がわからないと言う欠点があります。

表１：第１文字
First Letter
 第一文字は半導体の材料を示す
A
 ゲルマニウム
B
 シリコン
C
 化合物半導体：ガリウム砒素など
D
 化合物半導体：インジウム・アンチモン
R
 化合物半導体：硫化カドミウムなど

表２：第２文字
Second Letter
 第二文字は素子の一般機能を示す
A
 検波用ダイオード、高速スイッチング用ダイオード、ミキサー用ダイオード
B
 可変容量ダイオード（バリキャップ）
C
 汎用トランジスタ（パワー用を除く）：一般増幅用トランジスタ
D
 低周波用パワートランジスタ
E
 トンネルダイオード（江崎ダイオード）
F
 高周波用トランジスタ（パワー用を除く）
G
 異種のデバイスの複合素子．及び、分類に当てはまらないデバイス．
L
 高周波用パワートランジスタ
N
 フォトカプラ
P
 輻射検知素子：フォトダイオード、フォトトランジスタ、光導電セル、放射検知ダイオードなど
O
 発光デバイス：発光ダイオード、レーザダイオードなど
R
 制御・スイッチデバイス：サイリスタなどのうち、ブレークダウン電圧が規格されたもの（小電力用）
S
 スイッチング用トランジスタ（小電力用）
T
 制御・スイッチデバイス：サイリスタなどのうち、ブレークダウン電圧が規格されたもの（大電力用）
U
 スイッチング用トランジスタ（大電力用）
X
 複合ダイオード：バラクタダイオード、ステップリカバリダイオードなど
Y
 整流用ダイオード、ブースターダイオード（ダンパーダイオード？）など
Z
 標準電圧ダイオード、定電圧ダイオード、サージアブソーバー



第三文字以降の番号：
（１）一般民生用：3文字の連番を付ける
（２）軍用・工業用：上記表の2文字の後にもう一文字（Z、X、Y、W、etc）を付けてその後数字の連番


備考：
１・ツェナーダイオードの電圧と誤差表示について。
　　上記の命名システムでは、さらにツェナーダイオードのブレークダウン電圧と電圧誤差を示す補足があります。
　　但し、あまりそのような表示は見ないので省略します。

２・旧型番命名システムについて
　　初期の欧州系半導体については、以下のような命名システムが採用されていました。今でも古いラジオや
　　古い回路図を見ると以下の命名システムによる型番を見ることがあります。

　（１）第1文字に『Ｏ』（アルファベットのオー）を付ける。半導体デバイスの意味。
　（２）2文字目、3文字目は以下の意味である。
　　　　Ａ：ダイオード（検波、整流用の両方）
　　　　ＡＰ：フォトダイオード
　　　　ＡＺ：ツェナーダイオード（定電圧ダイオード）
　　　　Ｃ：トランジスタ
　　　　ＣＰ：フォトトランジスタ
　（３）数字の番号が登録順に付きます。

　例：ＯＡ７０，ＯＣ１７１など。
　　　フィリップスと提携してトランジスタの生産を始めた松下電子工業製の初期の半導体に見られます。
　　　ゲルマニウムダイオードではかなり後まで使われていたようです。


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